磁控濺射鍍膜機(jī)特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜。事實(shí)上，這種工藝設(shè)備可以沉積任何氧化物、碳化物和氮化物薄膜。此外，該工藝還特別適用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積，包括光學(xué)設(shè)計(jì)、彩色薄膜、耐磨涂層、納米疊層、超晶格涂層、絕緣薄膜等。早在1970年，就有高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例。已經(jīng)開發(fā)了多種光學(xué)薄膜材料，包括透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物、氮化物等。

　　磁控濺射鍍膜機(jī)具備以下特點(diǎn)：

　　1、沉積速率大。

　　2、高功率。磁控濺射靶一般選擇200伏-1000伏范圍內(nèi)的電壓，通常是600伏，因?yàn)?00伏的電壓正好在功率效率的最高有效范圍內(nèi)。

　　3、濺射能量低。磁控管靶電壓低，磁場(chǎng)限制了陰極附近的等離子體，可以阻止能量較高的帶電粒子進(jìn)入襯底。

　　4、基片溫度低。利用陽(yáng)極導(dǎo)電放電過(guò)程中產(chǎn)生的電子而不接地底座，可以有效地減少電子對(duì)基體材料的沖擊。因此，該基材具有較低的溫度，非常適合于一些耐高溫性能較差的塑料基材的涂裝。

　　5、磁控濺射靶表面不均勻蝕刻。磁控濺射靶表面刻蝕不均勻是由于靶材磁場(chǎng)不均勻造成的，靶材局部位置刻蝕率高，使得靶材有效利用率低(利用率僅為20%-30%)。因此，為了提高靶材的利用率，需要通過(guò)一定的手段改變磁場(chǎng)分布或者移動(dòng)陰極中的磁鐵，這樣也可以提高靶材的利用率。

　　6、可制作復(fù)合靶鍍合金膜。

　　7、應(yīng)用范圍很廣。磁控濺射中含有多種可沉淀元素，如 Ag、Au、C、Co、Cu、Fe、Ge、Mo、Nb、Ni、Os、Cr、Pd、Pt、Re、Rh、Si、Ta、Ti、Zr、SiO、AlO、GaAs、U、W、SnO等。